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건식식각장치(Inductively Coupled Plasma (ICP) Etcher)

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장비공지
Equip. Notice 장비공지
Equipment Notice

기본정보
설비번호	10005232
장비명(한글)	건식식각장치
장비명(영문)	Inductively Coupled Plasma (ICP) Etcher
제작사	Korea Vacuum Tech
모델명	KVICP-T406530
상세정보
장비사양	ICP101
활용분야	반도체 건식 식각
장비운영인력
설치장소	제1공학관 210호
소속	신소재공학과
성명	이종람
전화	054-279-2152
이메일	jllee@postech.ac.kr
동일/유사장비정보
장비명	플라즈마 처리 시스템(Plasma Treatment Machine)
제작사	Nordson
모델명	AP-300 Plasma System
설치장소	C5 720-1호

장비명	고분해능 유도 결합 플라즈마 질량분석기(High Resolution Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer (HR-ICP-MS))
제작사	Thermo Scientific
모델명	ELEMENT XR
설치장소	RIST1동 1304호

장비명	삼중 사극자 유도 결합 플라즈마 질량분석기(Triple Quadrupole Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer (TQ-ICP-MS))
제작사	Thermo Scientific
모델명	iCAP TQ
설치장소	RIST1동 1306호

장비명	유도 결합 플라즈마 분광분석기(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry (ICP-OES))
제작사	AMETEK
모델명	Spectro Arcos
설치장소	RIST1동 1309호

장비명	유도 결합 플라즈마 분광분석기(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry (ICP-OES))
제작사	PerkinElmer
모델명	Optima 8300
설치장소	RIST1동 1311호

장비명	유도 결합 플라즈마 분광분석기(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry (ICP-OES))
제작사	Thermo Scientific
모델명	iCAP 7000 Series
설치장소	RIST1동 1311호

장비명	유도 결합 플라즈마 분광분석기(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry (ICP-OES))
제작사	AMETEK
모델명	Spectro Arcos
설치장소	RIST1동 1311호

장비명	플라즈마 원자층 증착 시스템(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) System)
제작사	ForALL
모델명	OZONE
설치장소	RIST3동 3223호

장비명	플라즈마 화학 기상 증착기(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD))
제작사	아텍시스템
모델명	UF-CVD 200
설치장소	나노융합기술원 클린룸동 2층 클린룸

장비명	유도결합 플라즈마 식각 장치(Inductively Coupled Plasma (ICP) Etcher)
제작사	(주)디엠에스
모델명	ICP Etcher
설치장소	나노융합기술원 클린룸동 2층 클린룸

장비명	플라즈마 화학 기상 증착기(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD))
제작사	BMR Technology Co.
모델명	HiDep-SC
설치장소	나노융합기술원 클린룸동 2층 클린룸

장비명	실리콘 고종횡비 식각장치(Deep Reactive Ion Etcher (DRIE))
제작사	SPTS
모델명	Pegasus
설치장소	나노융합기술원 클린룸동 2층 클린룸

장비명	금속막 식각 장치(Special Metal Dry Etcher)
제작사	ULVAC
모델명	NE 7800
설치장소	나노융합기술원 클린룸동 2층 클린룸

장비명	보호막용 플라즈마 화학 기상 증착기(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD) for Passivation)
제작사	TES
모델명	TELIA200
설치장소	나노융합기술원 클린룸동 2층 클린룸

장비명	플라즈마 화학 기상 증착기(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD))
제작사	Korea Vacuum Tech
모델명	KVPED-T0583
설치장소	제1공학관 210호

장비명	유도 결합 플라즈마 질량분석기(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer (ICP-MS))
제작사	PerkinElmer
모델명	NexION-300D
설치장소	제1실험동 318호

장비명	고효율 이미징 시스템(Electron Multiplying Charge-Coupled Device (EMCCD))
제작사	Andor
모델명	iXon DU-897
설치장소	제3공학관 006호

장비명	극미광 검출 카메라(Intensified Charged Coupled Device (ICCD))
제작사	Princeton Instruments
모델명	PI-MAX4-1024i
설치장소	제3공학관 105호

장비명	유도 결합 플라즈마 분광분석기(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry (ICP-OES))
제작사	Thermo Scientific
모델명	iCAP 6500 DUO
설치장소	철강대학원 176호

장비명	다중검출 유도결합플라즈마 질량분석기(Multi-Collector Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer (MC-ICP-MS))
제작사	Nu Instruments Ltd
모델명	Plasma 3
설치장소	환경공학동 105호

장비명	유도 결합 플라즈마 분광분석기(Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometry (ICP-OES))
제작사	Thermo Scientific
모델명	iCAP 7400
설치장소	환경공학동 106호

사용정보
장비오픈여부	○
자율사용여부	X
사용료	회당 150,000원
자산정보
취득금액	\ 69,950,000
취득일	2000-01-27
참조사항
첨부파일
URL	http://www.koreavac.com/index.php
키워드
반도체 건식 식각, Inductively, Coupled, Etching, Plasma