장비오픈여부 |
○ |
자율사용여부 |
X |
사용료 |
SiO2 : 450,000 / SiC oxidation : 550,000 / SiC Gate oxidation : 650,000 |
취득금액 |
\ 117,150,000 |
취득일 |
2016-08-09 |
첨부파일 |
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URL |
http://www.lead-eng.co.kr/ |
| Si&SiC Gate Oxidation, 정연 산화막 성장, Oxidation furnace | |